多波長光電子分光を用いた電極被膜の深さ方向非破壊状態分布の分析

SEI被膜の深さ方向での状態分布を把握できます

多波長光電子分光の概要

光電子の平均自由行程 (脱出深さ) は、励起エネルギーが大きいほど深くなります。日産アークでは、ラボでの2つ線源 (Al Kα線、Ag Lα線) に加え、あいちシンクロトロン光センターや、大型放射光施設SPring-8における8keV、14keVの励起光を用いた硬X線光電子分光 (HAXPES) により、非破壊での深さ方向分析が可能です。

大気非暴露HAXPESの依頼分析も承ります。

グラファイト負極被膜の非破壊深さ方向分析

リチウムアルキルカーボネート (LAC) といった有機SEIやLiPF6は表面側に多く存在し、Li2CO3やLiFといった無機SEIは内部側に多く存在していることがわかりました。
また、 Li2CO3は100cycから500cycで顕著な増加を示さず、LiFやリン酸塩はサイクル数が増すにつれて増加することがわかりました。

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