低エネルギーのX線を利用した吸収分光法

・軽元素の価数や配位状態の分析ができます。
・表面の構造や電子状態の分析ができます。
・非破壊で深さ方向の化学状態分析ができます。
・大気非暴露で表面分析ができます。
・溶液の測定も可能です。
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軟X線XAFS分析は、非破壊･非暴露で
Siの化学状態の深さ方向分析ができます。

■ 測定手法
・部分電子収量法 (～数nm)
・全電子収量法 (～数10nm)
・蛍光収量法 (～数100nm)
■ 利用施設
・立命館大学SRセンター BL10
・あいちシンクロトロン光センター BL6N1

・充放電に伴う、Siのピークの可逆的なシフトが確認されました。
・充電に伴いSiO₂のピークが低エネルギー側にシフトし (シリケート化) 、この変化は不可逆であることが確認されました。
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SiO負極の充放電反応において、SiクラスターがLiの脱挿入サイトとして働き、SiO₂はシリケート化し不可逆サイトを形成していることが明らかとなりました。

アモルファスSiOはSiとSiO₂の足し合わせで再現されず、中間相の存在が示唆されました。

アモルファスSiOには、2つの結合長をもつSi-Oが存在する可能性が示唆されました。

XANESフィッティング、EXAFS解析により詳細な解析も可能です。

※測定は立命館大学SRセンターBL10で行われました。