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被膜と被膜に埋もれたそれぞれの活物質も分析することが可能です
HAXPESの特徴
硬X線光電子分光法 (HAXPES) は、ラボよりも深い分析深さ (約30nm) で化学結合の状態を把握できます。被膜のみならず、被膜に埋もれたそれぞれの活物質も分析することが可能です。ラボXPSと使い分けることで、より詳細に活物質の調査が可能です。
ラボXPSによる混合電極の表面状態分析
ラボXPSでは、グラファイトピークは観測されるものの、Si活物質由来のピークは観測されません。これはラボXPSの浅い分析深さ (約5nm) によるためです。
HAXPESによる混合電極の表面状態分析
HAXPESでは、深い分析深さにより、グラファイトピークが明瞭に観測され、加えてSi活物質由来ピークも観測されました。これにより、それぞれの活物質に対する被膜堆積の様子が推測できます。
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