新規技術資料 UPS/LEIPSによるバンドギャップエネルギー解析 を掲載しました。
半導体の電子エネルギー準位について、紫外線光電子分光分析 (UPS) 、低エネルギー逆光電子分光分析 (LEIPS) を用いた評価事例を紹介します。同一の装置・環境で、UPSではイオン化ポテンシャル (IP) 、LEIPSでは電子親和力 (EA) を測定でき、その差分から、バンドギャップエネルギー (Eg) を求めることができます。特に、3eVより小さなEgはLEIPS分析を用いない限り測定はできません。本測定により、デバイス設計時における材料選択の指針になる情報を得ることが可能です。
https://www.nissan-arc.co.jp/services/f167/
半導体の電子エネルギー準位について、紫外線光電子分光分析 (UPS) 、低エネルギー逆光電子分光分析 (LEIPS) を用いた評価事例を紹介します。同一の装置・環境で、UPSではイオン化ポテンシャル (IP) 、LEIPSでは電子親和力 (EA) を測定でき、その差分から、バンドギャップエネルギー (Eg) を求めることができます。特に、3eVより小さなEgはLEIPS分析を用いない限り測定はできません。本測定により、デバイス設計時における材料選択の指針になる情報を得ることが可能です。
https://www.nissan-arc.co.jp/services/f167/